Ученые подтвердили существование альтермагнетизма в диоксиде рутения для будущей памяти

Группа международных исследователей сделала важное открытие в области материаловедения, экспериментально установив, что диоксид рутения (RuO2) демонстрирует альтермагнетизм. Это открытие представляет собой третий тип магнитных материалов, который может оказать значительное влияние на скорость и плотность будущих запоминающих устройств. Ученые выявили новое магнитное свойство RuO2, что открывает перспективы для создания более производительных систем памяти.

Команда исследователей из Национального института материаловедения Японии (NIMS), Токийского университета, Киотского технологического института и Университета Тохоку смогла получить высококачественные плёнки RuO2 с однородной кристаллографической ориентацией на сапфировых подложках. Это достижение позволило впервые надежно зафиксировать альтермагнитные свойства данного материала.

Альтермагнеты представляют собой уникальное сочетание преимуществ ферромагнетиков и антиферромагнетиков. Они позволяют эффективно считывать данные с помощью электрических сигналов, а также устойчивы к магнитным помехам, что является критически важным для повышения плотности хранения информации. Используя метод рентгеновского магнитного линейного дихроизма, исследователи подтвердили, что общая намагниченность плёнок равна нулю, однако присутствует спин-зависимое магнетосопротивление. Эти результаты совпадают с теоретическими предсказаниями и окончательно подтверждают альтермагнитную природу RuO2.

Ученые полагают, что материалы на основе диоксида рутения могут стать основой для создания более быстрых и энергоэффективных систем обработки данных, включая технологии искусственного интеллекта. Разработанные в ходе исследования методы анализа будут способствовать поиску новых перспективных альтермагнитных материалов. Данные результаты были опубликованы в журнале Nature Communications 24 сентября 2025 года.

Читайте также: