Ученые при помощи алмазного слоя снизили температуру электроники на 23 градуса
Добиться рекордного снижения температуры на 23 градуса у электронных компонентов смогли ученые, являющиеся сотрудниками Университета Райса. Их новый метод подразумевает использование алмазных слоев, выступающих в качестве теплопроводящего материала.
Источник изображения: Изображение сгенерировано нейросетью
Процессоры, используемые в системах с искусственным интеллектом, или оборудование для сетей 5G имеют одну общую проблему, она заключается в нагреве электронных компонентов и низкой эффективности отвода тепла. Одним из лучших проводников является алмаз, но из-за своей твердости работы с природным углеродом не только сложны, но и требуют высоких финансовых затрат.
Инженеры использовали процесс микроволнового плазменного химического осаждения, при помощи которого на поверхности микрочипа создается трафарет методом фотолитографии. Сам трафарет выступает в качестве площадки для наноалмазной «затравки», на которые впоследствии оседают атомы углерода, а затем на них «вырастают» алмазы. При этом алмазный слой можно совмещать с кремнием и нитридом галлия.
Сян Чжан с кафедры материаловедения и наноинженерии отметил, что благодаря снижению температуры электроники на 23 градуса можно значительно продлить срок службы компонентов. Теперь ученые намерены добиться, чтобы между алмазным слоем и электроникой было идеально соединение, это позволит создать принципиально новые транзисторы.
Процессоры, используемые в системах с искусственным интеллектом, или оборудование для сетей 5G имеют одну общую проблему, она заключается в нагреве электронных компонентов и низкой эффективности отвода тепла. Одним из лучших проводников является алмаз, но из-за своей твердости работы с природным углеродом не только сложны, но и требуют высоких финансовых затрат.
Инженеры использовали процесс микроволнового плазменного химического осаждения, при помощи которого на поверхности микрочипа создается трафарет методом фотолитографии. Сам трафарет выступает в качестве площадки для наноалмазной «затравки», на которые впоследствии оседают атомы углерода, а затем на них «вырастают» алмазы. При этом алмазный слой можно совмещать с кремнием и нитридом галлия.
Сян Чжан с кафедры материаловедения и наноинженерии отметил, что благодаря снижению температуры электроники на 23 градуса можно значительно продлить срок службы компонентов. Теперь ученые намерены добиться, чтобы между алмазным слоем и электроникой было идеально соединение, это позволит создать принципиально новые транзисторы.
Читайте также:
Ctrl
Enter
Заметили ошЫбку
Выделите текст и нажмите Ctrl+EnterЧитайте также:
.jpg)
